Studium defektů v gradovaných tenkých vrstvách SiGe/Si pomocí rozptylu rtg.záření

Abstract

Cílem předkládané práce je studium defektů v gradovaných tenkých vrstvách Si1xGex/Si. Převládajícím typem defektů v takovýchto vrstvách jsou mist dislokace. Přítomnost defektů v látce vede ke vzniku difuzně rozptýleného záření, které bylo měřeno pomocí difraktometru s vysokým rozlišením. Z naměřených map reciprokého prostoru bylo určeno rozložení mist dislokací ve vrstvách. Rozložení mist dislokací je diskutováno v rámci dvou modelů: rovnovážného vycházejícího z nalezení minima energie a kinetického uvažujícího tepelně aktivovaný pohyb dislokací. Měřené mapy reciprokého prostoru byly porovnány se simulacemi provedenými pomocí kinematické teorie rozptylu rtg. záření.

The goal of presented work is a study of defects in graded Si1xGex/Si thin layers. Misfit dislocations are dominant type of defects in this kind of layers. Diffuse scattering of radiation, which is caused by the presence of defects, was measured with high-resolution diffractometer. Misfit dislocations arrangement in the layers was determined from measured reciprocal space maps. Misfit dislocations distribution is discussed within the scope of two models. Equilibrium one, which is based on energy minimization, and kinetic one, which considers thermally activated movement of dislocations. Measured reciprocal space maps were compared with simulations, which were realized via kinematic theory of X-ray radiation scattering.