Úprava struktury defektů v polovodičích CdTe/CdZnTe žíháním v Cd a Te parách

Adjustment of defect structure in CdTe/CdZnTe semiconductors by annealing at Cd or Te overpressure

View/Open

Text práce (1.596Mb)

Posudek vedoucího (54.65Kb)

Posudek oponenta (59.88Kb)

Záznam o průběhu obhajoby (17.71Kb)

Permanent link

http://hdl.handle.net/20.500.11956/26793

Identifiers

Study Information System: 42846

Collections

• Kvalifikační práce [11266]

Author

Šedivý, Lukáš

Advisor

Belas, Eduard

Referee

Grill, Roman

Faculty / Institute

Faculty of Mathematics and Physics

Discipline

General Physics

Department

Institute of Physics of Charles University

Date of defense

22. 6. 2010

Publisher

Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta

Language

Czech

Grade

Excellent

Citace dokumentu